大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)冷水下锅玉米煮多长时间才能熟，玉米冷水下锅要煮多久才熟p>

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产冷水下锅玉米煮多长时间才能熟，玉米冷水下锅要煮多久才熟品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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